场效应管计算放大倍数(场效应管放大电路放大倍数)-鞋百科

今天鞋百科给各位分享场效应管的gm怎么算的知识，其中也会对场效应管计算放大倍数(场效应管放大电路放大倍数)进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在我们开始吧！

场效应管计算放大倍数

放大倍数，不同的电路图，求法不同。有一种电路放大倍数=跨导*Rd；还有一种=Rd/Rs。
具体情况你可以看一下小日本写的《晶体管电路设计（下）》，书写的非常好，简单易懂。
至于偏置，最好采用电阻分压的方法，这样比较稳定。
对于jfet或者耗尽型comsfet直接把源极和栅极连一起也能工作，此时的漏极电流为Idss。

MOSFET中跨导的计算问题

一般是利用I对V的偏导求。
注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。

case1：Vds<Vgs-Vt，Vt是阈值电压，MOS处于线形区，
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]
然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。

case2：Vds>Vgs-Vt，MOS处于饱和区，
Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]
同样求偏导：g = partial （Id）/partial （Vgs） = u*Cox*（Vgs-Vt）*（W/L）
如果你知道Id，而不知道Vgs，就用Id的表达式把Vgs代换掉即可，以case2为例，g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5
[]^x代表[]的内容的x次方
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你还有啥是已知的啊？
请你完整的把已知的参数以及最后要求的东西告诉我。。。就是把题目原样说下
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注意，你现在已经有了Id和Vg关系对应曲线和数据了对吧？
针对case2而言，先用Id = 0.5*u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）^2]这个式子
应为你知道了Vg，也知道了Vt和Id，这些数据又是对应于同一个管子的，所以上面那个式子的参数u、Cox、W和L都不用管，姑且认为u*Cox*（W/L）是一个完整的参数k；现在利用随便一组数据都可以得到这个k，即利用
Id = 0.5*k*[（Vgs-Vt）^2]求。
然后直接带到g = [2u*Cox*（W/L）*Id]^0.5 = [2k*Id]^0.5 求跨导即可

请问场效应管在什么情况下会烧？

问题解答一：
管子损毁分两种情况，烧毁和击穿是两个概念，烧毁指的是管子在工作中过载从而导致PN结温度过高而损毁，击穿指的是管子在工作中加在管子上的电压超出管子实际允许的极限电压而导致PN结击穿损毁。
场效应管按大类分有绝缘删型场效应管和结型场效应管，不管是哪一种场效应管子，控制极（G极）电压的改变结果都会使漏极（S极）和源极（D极）之间的内阻发生改变，（若这个电压太高：对于绝缘删型场效应管会导致管子GS结击穿损毁，对于结型场效应管则会导致管子GS间PN结过热烧毁），漏-源极间内阻的改变势必会导致管子通过电流的变化，要知道管子是否会烧毁首先要知道的是管子安全工作必须满足的几个条件，如下：
1、管子工作时通过的最大电流不得超过手册里规定的极限电流值。
2、管子工作时在极短的时间里通过的瞬间电流值不得超过手册里规定的极限浪涌电流值。
3、管子工作时漏-源极间的电压乘以漏-源极间通过的电流，所得到的功率值为管子实际消耗的功率，这个数值必须小于手册里规定该管子的极限耗散功率值。这个很重要，参考时务必注意手册里极限值的测试条件，如散热片的尺寸等。
4、管子工作时的实际工作频率必须远小于管子手册中给出的极限工作频率值，一般选1/2到1/3。
5、管子工作时电路中的峰值电压不得超过手册中给出的极限工作电压值。
注：在实际设计电路时为保证管子安全可靠的工作还要在极限值的基础上留有一定的安全系数。

问题解答二：
在震荡电路里还要看实际的震荡波形，只要波形峰值电压不超过管子耐压极限值时基本可以排除击穿的可能，其它烧毁的风险可以根据问题解答一判断分析；如果管子是工作在开关状态，可以参考楼上 ivanlawang同志所说的：Mos管开启、关闭都需一定的功率、因存在电容贮存电荷效应与过渡时间、这过程叫损耗值、即管会烫、过度了管孑就烧伤。面积小通过电流大也会烧伤。MOs开启电压需大于10V速度微秒级、关闭也需10V微秒级，就这1微秒如延长2一3微秒上升下降时间功耗就加倍了。

问题解答三：
一楼所说的保护电阻不应该叫上拉电阻，应该是指栅极与源极之间并联的那个电阻（放大电路里通常叫下拉电阻或下偏置电阻），这个电阻要根据电路设计的实际需要而确定，不见的所有的电路里都必须有。

通过以上解答，聪明的你一定会知道管子的选型很重要，因为场效应管的型号成千上万，不同型号管子的性能参数往往相差甚远，要想直接肯定的回答你的问题，必须知道你的电路工作原理和各元件的具体型号和参数。在这里最简单明了的答案就是：只要电路设计正确无误，管子参数选型合理，电路工作环境正常，具备这几个条件管子就不会烧毁。

场效应管电流放大计算问题

场效应管计算放大倍数

MN1不是电流放大器，只是一个开关电路，改变PROG上的等效电阻而已啊

当Rprog=1.2千欧就可以达到1A的充电电流，如果适配器或USB电源功率足够的话。

MN1用N沟道的Mosfet，小信号的就可以如NTR4003N，甚至可以用NPN都可以做。

如果要到1A，10k电阻变小至1.4千欧左右

场效应管做放大电路

加光耦隔离

模电场效应管求教

BC 不能应该没有异议,因为这两个管子是增强型的NMOSFET，要导通需要一个高于Ugs(th)的正向电压，现在这个是不满足的。
D也无异议，这个是P沟道 JFET管，UGS（off）是一个正数，现在的这个电路有可能。
最麻烦的是A，这个是N沟道JFET，JFET在正常条件下就存在沟道，可以通过电流，当加入VDD的时候，沟道里有电流，因此在RS上会产生压降，也就是US会出现一个正电压，而UG的初始为0，这样就保证了UGS是一个负值，只要这个值是UGS(off)到0之间的一个值，就可能导通，并进入恒流区。

什么是GM计数管？？

GM 计数管用于探测和测量
Alpha 粒子， Beta粒子，Gamma射线，X射线的探测和测量

应用领域：
1. 个人安全卫生（辐射剂量测量，辐射探测仪器等）辐射强度水平等级探测记录（剂量检测仪）
2. 辐射污染检测仪器无损材料探伤和璧厚测量（如在线密度和后度测量仪）
3. 无感测量
4. 石油工业（如钻井测量）
5. 科学研究
6. 环境保护仪器设备(如环境监测设备）
7.核电站日常维护检测
8.液体污染监测
9.桶装物质的检查

特征：
1.安装高灵活性，客户化设计
2.广的测量范围
3.结构坚固和防水结构
4.计数管规格选择多，有能量补偿的计数管供选择，符合IEC 60846