那位大虾告诉下怎么区分IGBT的上桥壁和下桥壁，说详细点，谢谢了-鞋百科

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那位大虾告诉下怎么区分IGBT的上桥壁和下桥壁，说详细点，谢谢了

你用万用表的二极管档打吧，IGBT的C E极间有续流二极管，上桥续流二极管阳极和下桥的*极相接的。如果你说的是整流部分也基本一样，一个表笔在接触不放另一个表笔打几个输入即可！

整流柜和逆变柜里的igbt是干嘛用的？

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1GBT是场效应管与电流形大功率三极管的组合产品。是电压控制型功率元件。具有耐压高，工作电流大，工作频率高的特点。

IGBT上下桥臂怎么区分

一个IGBT芯片分为正面（有引线引出，对应E极）和反面（焊在铜基板上的那面，对应C极），上管的E连接下管的C,上管的C连接正母线端子，下管的E连接负母线端子，按此原则区分上下管。

怎样判断IGBT管的好坏？怎么检测它的引脚？

　　将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT 注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性，万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。

igbt电路符号判断是N沟道还是p沟道

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IGBT管与场效应管的区别及用途分别是什么？在电磁炉里面这两个原件的区别是什么？

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
专业名字为绝缘栅双极型功率管。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率可以做的很大。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - **物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。