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聚焦离子束的工作原理

液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏,真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现,液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点,使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中,将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5-10μm的钨针,然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上,在外加强电场后,液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端(泰勒锥),液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下,液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面,产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小,尽管只有几微安的离子电流,但电流密度约可达106A/cm2,亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗**力,因而液态金属离子源中的金属材料多为镓(Gallium,Ga)[3、4]。图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。在离子柱顶端外加电场(Suppressor)于液态金属离子源,可使液态金属或合金形成细小尖端,再加上负电场(Extractor)牵引尖端的金属或合金,从而导出离子束,然后通过静电透镜聚焦,经过一连串可变化孔径(Automatic Variable Aperture,AVA)可决定离子束的大小,而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类,最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描,离子束轰击样品,产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。

聚焦离子束的工作原理

液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏,真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现,液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点,使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中,将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5-10μm的钨针,然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上,在外加强电场后,液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端(泰勒锥),液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下,液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面,产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小,尽管只有几微安的离子电流,但电流密度约可达106A/cm2,亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗**力,因而液态金属离子源中的金属材料多为镓(Gallium,Ga)[3、4]。图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。在离子柱顶端外加电场(Suppressor)于液态金属离子源,可使液态金属或合金形成细小尖端,再加上负电场(Extractor)牵引尖端的金属或合金,从而导出离子束,然后通过静电透镜聚焦,经过一连串可变化孔径(Automatic Variable Aperture,AVA)可决定离子束的大小,而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类,最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描,离子束轰击样品,产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。

急求:离子束作用机制

首先要理解粒子与离子的概念差异
在微观领域,粒子是离子、电子、光子和亚核粒子等的总称
当利用具有一定能量的离子(如:质子、alpha离子及其它重离子)束去轰击样品,使样品中的元素发生电离、激发、发射和核反应以及自身的散射等过程中,在离子--**作用范畴内,产生次级粒子、俄歇电子、粒子诱发X射线;
在离子--**核作用范畴内,产生发射粒子、r射线、背散射粒子。

聚焦离子束的工作原理

液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏,真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现,液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点,使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中,将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5-10μm的钨针,然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上,在外加强电场后,液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端(泰勒锥),液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下,液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面,产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小,尽管只有几微安的离子电流,但电流密度约可达106A/cm2,亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗**力,因而液态金属离子源中的金属材料多为镓(Gallium,Ga)[3、4]。图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。在离子柱顶端外加电场(Suppressor)于液态金属离子源,可使液态金属或合金形成细小尖端,再加上负电场(Extractor)牵引尖端的金属或合金,从而导出离子束,然后通过静电透镜聚焦,经过一连串可变化孔径(Automatic Variable Aperture,AVA)可决定离子束的大小,而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类,最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描,离子束轰击样品,产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。

聚焦离子束的工作原理

聚焦离子束的工作原理

液态金属离子源离子源是聚焦离子束系统的心脏,真正的聚焦离子束始于液态金属离子源的出现,液态金属离子源产生的离子具有高亮度、极小的源尺寸等一系列优点,使之成为目前所有聚焦离子束系统的离子源。液态金属离子源是利用液态金属在强电场作用下产生场致离子发射所形成的离子源[1、2]。液态金属离子源的基本结构如图1所示在源制造过程中,将直径0.5mm左右的钨丝经过电化学腐蚀成尖端直径只有5-10μm的钨针,然后将熔融的液态金属粘附在钨针尖上,在外加强电场后,液态金属在电场力作用下形成一个极小的尖端(泰勒锥),液态尖端的电场强度可高达1010V/m。在如此高的电场下,液态表面的金属离子以场蒸发的形式逸出表面,产生离子束流。由于液态金属离子源的发射面积极小,尽管只有几微安的离子电流,但电流密度约可达106A/cm2,亮度约为20μA/sr。聚焦离子束系统聚焦式离子束技术是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。由于镓元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗**力,因而液态金属离子源中的金属材料多为镓(Gallium,Ga)[3、4]。图2给出了聚焦离子束系统结构示意图。在离子柱顶端外加电场(Suppressor)于液态金属离子源,可使液态金属或合金形成细小尖端,再加上负电场(Extractor)牵引尖端的金属或合金,从而导出离子束,然后通过静电透镜聚焦,经过一连串可变化孔径(Automatic Variable Aperture,AVA)可决定离子束的大小,而后用E×B质量分析器筛选出所需要的离子种类,最后通过八极偏转装置及物镜将离子束聚焦在样品上并扫描,离子束轰击样品,产生的二次电子和离子被收集并成像或利用物理碰撞来实现切割或研磨。

聚焦离子束的基本功能

聚焦离子束显微镜的基本功能可概分为四种:1. 定点切割(Precisional Cutting)-利用离子的物理碰撞来达到切割之目的。 广泛应用于集成电路(IC)和LCD的Cross Section加工和分析。2. 选择性的材料蒸镀(Selective Deposition)-以离子束的能量分解有机金属蒸气或气相绝缘材料,在局部区域作导体或非导体的沉积,可提供金属和**层的沉积(Metal and TEOS Deposition),常见的金属沉积有铂(Platinum,Pt)和钨(Tungstun,W)二种。3. 强化性蚀刻或选择性蚀刻(Enhanced Etching-Iodine/Selective Etching-XeF2)-辅以腐蚀性气体,加速切割的效率或作选择性的材料去除。4. 蚀刻终点侦测(End Point Detection)-侦测二次离子的讯号,藉以了解切割或蚀刻的进行状况。在实际的应用上,为了有效的搜寻故障的区域或外来掉落的材料碎屑、尘埃、污染粒子(Particles)等位置,离子束显微镜在外围的控制系统上,可配备自动定位导航系统或影像重叠定位装置,当生产线的**检视系统(Defect Inspection System),例如:KLA或Tencor,发现制程异常时,可将芯片上**的计算机档案传送到自动定位导航系统,离子束显微镜即可迅速找寻**的位置,并进行切割动作,确认**发生的层次,如此可避免芯片送出无尘室后与外界的灰尘混淆,达到 Off-line 找到的就是In-line 看到的 精准度,这种功能免除了工程师在试片制备上极大的困扰,同时节省了传统机械研磨法中大量的人力与工时,加之也大大的提升了成功率。在新型的聚焦离子束显微镜,目前已有双束(Dual Beam)的机型(离子束+电子束),在以离子束切割时,用电子束观察影像,除了可避免离子束继续 破坏现场 外,尚可有效的提高影像分辨率,同时也可配备X-光能谱分析仪或二次离子质谱仪,作元素分析之用,多样化的分析功能使得聚焦离子束显微镜的便利性及使用率大幅提升。至于离子束显微镜在IC工业上的应用,主要可分为五大类:1.线路修补和布局验证;2.组件故障分析;3.生产线制程异常分析;4.IC 制程监控-例如光阻切割;5.穿透式电子显微镜试片制作。在各类应用中,以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益,局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效,同时节省大量研发费用。当我们欲进行产品侦错或故障分析时,在没有KLA或TENCOR等数据档案(例如:GDSII file)数据的情况下,对于小尺寸的晶粒或已经封装后的产品,亦可利用附属的影像重叠系统(Image Overlay System),在光学显微镜下依据参考点定出欲分析位置的相对横向和纵向距离,而在离子束显微镜内迅速找到该位置,不需以人力费时的去寻找。假若当欲分析处为前层次或是为平坦化制程,离子束显微镜的影像无法从上视(Top-View)的观察推断出确切的分析位置时,也可藉影像对准(Align Image)将离子束显微镜影像与光学显微镜影像重叠,再由光学显微镜影像定出欲切割位置,同样可达成定点位置的分析。关于穿透式电子显微镜试片制作,离子束显微镜提供了另一种选择,在合理的工作时数(2-6小时)与成功率(> 90 %)的掌握度下,离子束显微镜不失为良好的试片制作工具。由于离子束显微镜在辅以不同的化学气体时可具有材料沉积与蚀刻的功能,因此在5-10年前即引起人们对In-Situ Processing(在单一Chamber内连续完成所有制程) 的研究兴趣,许多先进的组件制作,例如:雷射二极管(Laser Diode),量子井组件(Quantum Well Devices)等,都曾利用离子束显微镜的工作原理示范过组件的制作。加之,因为离子束显微镜的离子源为镓离子,对硅晶材料而言,镓离子植入亦可作为P-Type接面的离子源,在过去的浅接面(Shallow Junction Formation)中,由于镓离子的扩散系数和穿隧效应比硼(Boron,B)来得小,因此也曾掀起研究的热潮。此外在免光罩式的离子植入(Maskless Ion Implantation)应用上,由于离子束显微镜的离子束能量可随意调变,所以相较于传统式的光阻罩幕后单一能量离子布植,离子束显微镜不但可以作极小面积的离子布植(0.1埃0.1 um2 以下),而且最特别的是布植区域的离子植入深度 (亦即 P/N 接面的深度)可依组件设计而调变,这将使得组件设计的空间更广更有趣;在IC工业的应用上,离子束显微镜在光罩修补(Mask Repair)上亦有取代雷射光的趋势,尤其是对相位转换光罩(Phase Shift Mask, PSM)的制作中,离子束显微镜的分辨率和修补的精准度(Repair Edge Placement Accuracy)都优于雷射光,在0.25 um以下的制程中,可预期的是离子束显微镜也将会在这个领域中活络起来。

离子束plasma,是什么意思

plasma
[英][ˈplæzmə][美][ˈplæzmə]
n.血浆; 原生质,细胞质; *清; [物]等离子体;



例句:

1.
Conventional plasma torches employ such hot plasma to cut metal.
传统的等离子*使用此热等离子体切割金属。

2.
Nor does the rivalry between lcd and plasma panels end there.
液晶显示器与等离子板之间的竞争也没有结束。

离子源的作用是什么,试述几种常见离子源的原理

离子源的作用是什么,试述几种常见离子源的原理
利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离,一般用来产生低电荷态正离子,有时也从中引出负离子,作为负离子源使用。
在高频电场中,自由电子与气体中的**(或分子)碰撞,并使之电离。带电粒子倍增的结果,形成无极放电,产生大量等离子体。高频离子源的放电管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高频场可由管外螺线管线圈产生,也可由套在管外的环形电极产生。前者称为电感耦合,后者称为电容耦合高频振荡器频率为10 ~10 Hz,输出功率在数百瓦以上。
从高频离子源中引出离子可有两种方式。一种是在放电管顶端插入一根钨丝作为正极,在放电管尾端装一带孔负电极,并把该孔做成管形,从中引出离子流。另一种方式是把正极做成帽形,装在引出电极附近,而放电区则在它的另一侧。不管采用哪种引出方式,金属电极都要用石英或玻璃包起来,以减少离子在金属表面的复合。

食品中味的相互作用有哪些类型

1.味觉的概念——食品中的味是判断食品质量高低的重要依据。从广义上讲,味觉是从看到食品到食品从口腔进入消化道所引起的一系列感觉,在这个过程中,包括心理味觉、物理味觉和化学味觉。
心理味觉是指在进食前和进食当中,从心理上对食物产生的种种感觉,它包括进食时的环境及食品的色泽、光泽和形状等给进餐者的感觉。
物理味觉是指食品的物理性状对口腔触觉**的**,通常称作“口感”,如口腔感觉到食品的软硬度、冷热、粘度等都是物理味觉。
化学味觉是指食品中的化学物质**味觉**所引起的感觉。进餐时感受到食品的咸味、甜味、酸味、苦味等都是化学味觉。
食品中的味是指非常丰富的,我国习惯上把味归为5种:即甜味、苦味、酸味、咸味和辣味。事实上,味的种类远远不止5种,仅味觉神经可以明显感觉到的味还有鲜味、清凉味、涩等。
2.食品中味的形成——食品中的味是因食品的可溶性物质溶于唾液或液体食品**舌面味蕾而产生的。不同食品的味是不完全相同的,即使是相同的味感,但构成这种味的物质并不完全相同。但无论是哪种情况,只有当各种呈味物质达到一定浓度时,才能产生味道,通常把衡量味觉敏感性的标准称阀值,阀值越低,其感受性越高。
人们对味觉的感受会受到很多因素的影响,其中有浓度、温度、溶解度、生理现象等。例如:由于食品温度不同,人们对味的感受程度也不同,最能**味觉的温度在10~40℃之间,其中30℃时最敏锐,低于10℃或高于40℃多种味觉都会减弱。又如:食品中各种呈味物质溶解度越高味感越充分,否则,食品的味感受影响。